參數(shù)資料
型號(hào)： AP9916GJ
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 35 A, 18 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： AP9916GJ
Fig 5. Maximum Drain Current v.s.
Fig 6. Typical Power Dissipation
Case Temperature
AP9916GH/J
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
N
o
rm
aliz
ed
T
h
er
m
a
lRes
pon
se
(
R
th
jc
)
PDM
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
DUTY=0.5
SINGLE PULSE
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
T c , Case Temperature (
o C)
P
D
(W
)
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V DS (V)
I
D
(A
)
D=0.01 T c =25
o C
10us
1ms
10ms
100ms
100us
0
5
10
15
20
25
30
35
40
25
50
75
100
125
150
T c , Case Temperature (
o C)
I
D
,
Dra
in
C
u
rre
nt
(A
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP9916GH 35 A, 18 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP9922GEO 6400 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AP9924GO 6.8 A, 20 V, 0.02 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP9926GEO 4600 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AP9936GM-HF 5 A, 30 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AP9916H 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9916J 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP9918GH 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive
AP9918GJ 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive
AP9918H 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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