參數(shù)資料
型號(hào)： AOT428
廠(chǎng)商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： AOT428
AOT428
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
V
GS
=10V, I
D
=30A
20
48
30
10
26
63
40
13
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
1
2
3
4
5
6
0
15
30
45
60
75
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
100
300
500
700
900
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
V
DS
=30V
I
D
=30A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JC
.R
θ
JC
R
θ
JC
=1.3°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=175°C
T
A
=25°C
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
μ
s
100
μ
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C, T
A
=25°C
100m
1s
10s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOT428L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOT430 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOU400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOU400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOU401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOT428L 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOT42S60 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V 37A a MOS Power Transistor
AOT42S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:aMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOT430 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOT440 功能描述:MOSFET N-CH 40V 15.5A TO220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*