參數(shù)資料
型號： AOT428L
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 80K
代理商： AOT428L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
R
θ
JA
R
θ
JC
Typ
60
0.7
Max
75
1.3
W
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
Steady-State
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±30
80
57
300
60
180
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
G
Drain-Source Voltage
75
Pulsed Drain Current
C
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
Power Dissipation
B
Junction and Storage Temperature Range
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Maximum
Units
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
A
P
D
°C
115
58
-55 to 175
A
mJ
AOT428
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 75V
I
D
= 80A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 11 m
(V
GS
= 10V)
General Description
The AOT428 uses advanced trench technology and
design to provide excellent R
DS(ON)
with low gate
charge. This device is suitable for use in PWM, load
switching and general purpose applications.
Standard Product AOT428 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications). AOT428L is a Green
Product ordering option. AOT428 and AOT428L are
electrically identical.
G
D
S
Top View
Drain Connected
to Tab
G D S
TO-220
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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