參數(shù)資料
型號(hào)： AOT430
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 83K
代理商： AOT430
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
R
θ
JA
R
θ
JC
Typ
45
0.45
Max
60
0.56
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
300
268
134
A
mJ
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 175
T
C
=100°C
Avalanche Current
C
45
I
D
80
78
200
Pulsed Drain Current
C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
Continuous Drain
Current
Maximum
75
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
C
=25°C
G
T
C
=100°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±25
Gate-Source Voltage
W
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
Steady-State
AOT430
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 75V
I
D
= 80 A
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 11.5m
(V
GS
= 10V)
UIS TESTED!
General Description
The AOT430 uses advanced trench technology and
design to provide excellent R
DS(ON)
with low gate
charge. This device is suitable for use in PWM, load
switching and general purpose applications.
Standard
Product AOT430 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications).
G
D
S
Top View
Drain Connected
to Tab
G D S
TO-220
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOU400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOU400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOU401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOU401L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOU402 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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