- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375340 > AOT402L (ALPHA) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AOT402L |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | AOT402L |
AOT402
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
0
20
40
V
DS
(Volts)
60
80
100
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
200
400
600
800
1000
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width (s)
0.1
1
10
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-
to-Case (Note F)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.1
1
10
100
1000
V
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
100
μ
s
10ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=175°C, T
A
=25°C
V
DS
=25V
I
D
=30A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JC
.R
θ
JC
R
θ
JC
=0.5°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=175°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOT404 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT404L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT424 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT424L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT426 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOT404 | 功能描述:MOSFET N-CH 105V 40A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOT404L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT410L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 150A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOT412 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOT412L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel SDMOSTM Power Transistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。