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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOT402L |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | AOT402L |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
R
θ
JA
R
θ
JC
Typ
47
0.25
Max
60
0.5
W
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
Steady-State
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±25
110
85
200
100
540
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
G
Drain-Source Voltage
105
Pulsed Drain Current
C
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
Power Dissipation
B
Junction and Storage Temperature Range
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Maximum
Units
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
A
P
D
°C
300
150
-55 to 175
A
mJ
AOT402
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 105V
I
D
= 110 A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 8.6 m
(V
GS
= 10V) @ I
D
= 30A
R
DS(ON)
< 10 m
(V
GS
= 6V)
General Description
The AOT402 uses advanced trench technology and
design to provide excellent R
DS(ON)
with low gate
charge. This device is suitable for use in PWM, load
switching and general purpose applications.
Standard Product AOT402 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications). AOT402L is a Green
Product ordering option. AOT402 and AOT402L are
electrically identical.
G
D
S
Top View
Drain Connected
to Tab
G D S
TO-220
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOT404 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT404L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT424 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT424L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT426 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOT404 | 功能描述:MOSFET N-CH 105V 40A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOT404L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOT410L | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 150A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOT412 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOT412L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel SDMOSTM Power Transistor |
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