參數(shù)資料
型號(hào)： AOP608L
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： AOP608L
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-40
±20
-5.5
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
37
74
28
35
73
32
Max
50
90
40
50
90
40
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JL
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
t
≤
10s
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
40
±20
6.3
5
20
2.5
1.6
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Max n-channel
W
-4.4
-20
2.5
1.6
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
AOP608
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 40V -40V
I
D
= 6.3A (V
GS
=10V) -5.5A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 33m
(V
GS
=10V) < 45m
(V
GS
= -10V)
< 46m
(V
GS
=4.5V) < 63m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AOP608 uses advanced trench
technology MOSFETs to provide excellent
R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs may be used
in H-bridge, Inverters and other
applications.
Standard Product AOP608
is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AOP608L is a Green
Product ordering option. AOP608 and
AOP608L are electrically identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
PDIP-8
G2
D2
S2
G1
D1
S1
n-channel
p-channel
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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