參數(shù)資料
型號(hào)： AOP609L
廠(chǎng)商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 154K
代理商： AOP609L
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-60
±20
-3.5
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
37
74
28
35
73
32
Max
50
90
40
50
90
40
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JL
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
-55 to 150
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
t
≤
10s
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
60
±20
4.7
3.8
20
2.5
1.6
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Max n-channel
W
-2.9
-20
2.5
1.6
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
T
A
=70°C
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
P
D
AOP609
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 60V -60V
I
D
= 4.7A (V
GS
=10V) -3.5A (V
GS
=-10V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 60m
(V
GS
=10V) < 115m
(V
GS
=-10V)
< 75m
(V
GS
=4.5V) < 140m
(V
GS
=-4.5V)
ESD Rating: 1500V HBM 3000V HMB
General Description
The AOP609 uses advanced trench technology
MOSFETs to provide excellent R
DS(ON)
and low
gate charge. The complementary MOSFETs
may be used in H-bridge, Inverters and other
applications.
Standard Product AOP609 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AOP609L is a Green Product ordering option.
AOP609 and AOP609L are electrically identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
PDIP-8
n-channel
p-channel
D1
S1
G1
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOP610 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP610L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP800 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP800L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP802 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AOP610 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
AOP610L 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP611 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP611L 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP8 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:ISA BUS KARTE 8KANAL D/A WANDLER 12BIT
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