參數(shù)資料
型號(hào): AON7406
廠商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類: JFETs
英文描述: 25 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商: AON7406
AON7406
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
40
0
5
10
15
20
25
30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
I D
(A
)
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
R
D
S
(O
N
)
(m
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
I S
(A
)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
N
o
rm
a
li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
VGS=4.5V
ID=8A
VGS=10V
ID=9A
10
15
20
25
30
35
40
2
4
6
8
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
R
D
S
(O
N
)
(m
)
25°C
125°C
VDS=5V
VGS=4.5V
VGS=10V
ID=9A
25°C
125°C
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
I D
(A
)
VGS=2.5V
3V
4V
5V
10V
Rev 5: Dec. 2010
www.aosmd.com
Page 3 of 6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP01N15GK-HF 100 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP01N40G-HF 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
AP02N40J-HF 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP02N40H-HF 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP02N90J-HF 1.9 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AON7406_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AON7407 功能描述:MOSFET P CH 20V 40A DFN3X3EP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON7408 功能描述:MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON7409 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 32A 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH -30V -16A 8DFN
AON7410 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN3X3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件