參數(shù)資料
型號(hào)： AON7400
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 26 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 157K
代理商： AON7400
AON7400
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
GS
(V
o
lts)
0
500
1000
1500
2000
0
5
10
15
20
25
30
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Cap
aci
tan
ce
(p
F
)
Ciss
Coss
Crss
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
VDS (Volts)
I D
(Am
p
s)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
100
s
VDS=15V
ID=10A
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note G)
Z
θJA
No
rm
al
iz
ed
T
ran
si
en
t
T
h
e
rm
al
Resi
stan
ce
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=60°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Single Pulse
0
20
40
60
80
100
120
140
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note G)
Po
w
e
r(
W
)
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP02N60J-H 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP02N60H-H 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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AP03N70J-A-HF 3.3 A, 650 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
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參數(shù)描述
AON7400_11 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AON7400A 功能描述:MOSFET N CH 30V 40A DFN3X3EP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON7400AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
AON7400AL_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
AON7400AL_102 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
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