參數(shù)資料
型號(hào)： AON7400
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 26 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 157K
代理商： AON7400
Symbol
VDS
VGS
IDM
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
30
40
60
75
RθJC
3.1
3.7
Junction and Storage Temperature Range
PD
°C
35
14
-55 to 150
TC=100°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
W
Continuous Drain
Current
B,H
Maximum
Units
Parameter
TC=25°C
TC=100°C
30
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
3.1
2
10
A
ID
Pulsed Drain Current
C
9
26
20
80
TA=70°C
V
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Steady-State
Continuous Drain
Current
G
TA=25°C
IDSM
TA=25°C
PDSM
TC=25°C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
Power Dissipation
A
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Maximum Junction-to-Case
D
AON7400
30V N-Channel MOSFET
Features
VDS (V) = 30V
ID =26A
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 12.5m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 14.5m (VGS = 4.5V)
General Description
The AON7400 uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate
charge. This device is suitable for use in DC - DC
converters and Load Switch applications.
G
D
S
DFN 3x3 EP
Top View
Bottom View
Pin 1
Top View
1
2
3
4
8
7
6
5
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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AP02N60H-H 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
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AP03N70J-A-HF 3.3 A, 650 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AON7400A 功能描述:MOSFET N CH 30V 40A DFN3X3EP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON7400AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
AON7400AL_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
AON7400AL_102 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
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