參數(shù)資料
型號： AON7400
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 26 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： AON7400
AON7400
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
20
40
60
80
100
01
23
45
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I D
(A)
10V
4.5V
VGS=2.5V
6V
0
5
10
15
20
25
30
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I D
(A)
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
30
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
DS
(O
N)
(m
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I S
(A)
25°C
125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
30
60
90
120
150
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
No
rm
aliz
ed
O
n
-R
esist
an
ce
ID=10A
VGS=10V
VGS=4.5V
5
9
13
17
246
8
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
DS
(O
N)
(m
)
25°C
125°
VDS=5V
VGS=4.5V
VGS=10V
ID=10A
25°C
125°C
3V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AP02N60J-H 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP02N60H-H 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
AP02N70EJ 1.6 A, 700 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP03N40J-HF 2.1 A, 400 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
AP03N70J-A-HF 3.3 A, 650 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AON7400_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AON7400A 功能描述:MOSFET N CH 30V 40A DFN3X3EP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AON7400AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
AON7400AL_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
AON7400AL_102 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
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