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參數(shù)資料
| 型號： | AOD604 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增強模式互補場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | AOD604 |
AOD604
P-Channel MOSFET Electrical Characteristics (T
J
=25°C unless otherwise noted)
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
20
30
40
50
60
70
80
0
4
8
12
16
20
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-4.5V
I
D
=-6A
V
GS
=-10V
I
D
=-8A
20
2.00E+00 4.00E+00 6.00E+00 8.00E+00 1.00E+01
40
60
80
100
120
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
I
D
=-8A
25°C
125°C
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-4V
-3.5V
-6V
-10V
-4.5V
-5V
-3V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD604L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD606 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD606L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD607 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD607L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AOD606_08 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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