參數(shù)資料
型號： AOD413YL
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 121K
代理商： AOD413YL
AOD413Y
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
I
D
=-10mA, V
GS
=0V
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-3V
-6V
-3.5V
-4V
-10V
-5V
0
5
10
15
20
25
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0
5
10
15
20
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
-
S
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
25°C
125°C
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=-10V
I
D
=-12A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-8A
30
45
60
75
90
105
120
135
150
3
4
5
6
7
8
9
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
25°C
125°C
-4.5V
I
D
=-12A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD413 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD413L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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