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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AO8814 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 常見(jiàn)的漏雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | AO8814 |
AO8814
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
(
s
V
DS
=10V
I
D
=7.5A
0
400
800
1200
1600
2000
0
5
10
15
20
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
)
C
iss
C
rss
C
oss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
T
on
T
P
D
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=83°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
μ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO8814L | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8816 | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8816L | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8818 | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8818L | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO8814#A | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1390pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| AO8814_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8814L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8816 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO8816L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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