參數(shù)資料
型號(hào)： AO8818L
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見(jiàn)的漏雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： AO8818L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
64
89
53
Max
83
120
70
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
1.5
0.96
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
7
5.5
30
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
Continuous Drain
Current
A
Maximum
30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±12
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AO8818
Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect
Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 20m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 27m
(V
GS
= 2.5V)
ESD Rating: 1500V HBM
G1
S1
S1
D1/D2
G2
S2
S2
D1/D2
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8
Top View
G1
D1
S1
G2
D2
S2
General Description
The AO8818 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and
operation with gate voltages as low as 2.5V while
retaining a 12V V
GS(MAX)
rating. It is ESD protected. This
device is suitable for use as a uni-directional or bi-
directional load switch, facilitated by its common-drain
configuration.
Standard Product AO8818 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8818L is
a Green Product ordering option. AO8818 and
AO8818L are electrically identical.
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO8820L Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8820 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8822 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field
AO8822L Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field
AO8830 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO8820 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
AO8820_12 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET
AO8820L 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO8822 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR
AO8822#A 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:780pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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