參數(shù)資料
型號(hào): AO7415L
廠商: Alpha Electronic Co., Ltd
元件分類: MOSFETs
英文描述: P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商: AO7415L
AO7415
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
-3.5V
V
GS
=-1.5V
-3V
-6V
-8V
-4V
-2V
-2.5V
-5V
-7V
-9V
-10V
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
60
80
100
120
140
160
180
0
1
2
3
4
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.4
0.8
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-10V
I
D
=-2A
V
GS
=-2.5V
I
D
=-1.3A
I
D
=-1A
60
100
140
180
220
260
300
340
0
2
4
6
8
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
I
D
=-2A
25°C
125°C
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO7800 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7800L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8403 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8403L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8801 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO7417 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSF P CH 20V 1.9A SC70-6
AO7417_13 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V P-Channel MOSFET
AO7417L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO7600 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 20V SC70-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO7600_001 功能描述:MOSFET N/P-CH SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):900mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 900mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):120pF @ 10V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-70-6(SOT-363) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000