參數(shù)資料
型號： AO6409
廠商： ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： GREEN, TSOP-6
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 454K
代理商： AO6409
AO6409
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
-0.3
17
5
2
10
0
18
0
3
6
9
12
15
0
0.5
1
1.5
2
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
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R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
N
o
rm
a
li
z
e
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O
n
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is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-1.8V
V
GS=-4.5V
0
5
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40
0
1
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3
4
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-I
D
(A
)
-V
DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-1.5V
-2.0V
-4.5V
-8V
-2.5V
-3.0V
V
GS=-2.5V
I
D=-5A, VGS=-4.5V
I
D=-4A, VGS=-2.5V
I
D=-2A, VGS=-1.8V
40
0
3
6
9
12
15
0
0.5
1
1.5
2
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-I
S
(A
)
-V
SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°
125°
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
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100
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150
175
N
o
rm
a
li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-V
GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-1.8V
V
GS=-4.5V
I
D=-5A
25°
125°
0
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-I
D
(A
)
-V
DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-1.5V
-2.0V
-4.5V
-8V
-2.5V
-3.0V
V
GS=-2.5V
I
D=-5A, VGS=-4.5V
I
D=-4A, VGS=-2.5V
I
D=-2A, VGS=-1.8V
Rev 4: July 2010
www.aosmd.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO7410 1700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
AOI452A 55 A, 25 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
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參數(shù)描述
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AO6409AL 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode
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