參數(shù)資料
型號： AO6408
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： AO6408
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
47.5
74
37
Max
62.5
110
40
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
T
A
=70°C
1.28
W
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
2
A
T
A
=70°C
7
40
Pulsed Drain Current
B
Continuous Drain
Current
A
T
A
=25°C
I
D
8.8
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
20
±12
V
V
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Maximum
Units
AO6408
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 8.8A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 20m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 25m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 32m
(V
GS
= 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM
General Description
The AO6408 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. It offers
operation over a wide gate drive range from 1.8V to
12V. It is ESD protected. This device is suitable for
use as a load switch. Standard product
AO6408 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AO6408L is a Green Product ordering option.
AO6408 and AO6408L are electrically identical.
G
D
D
S
D
D
1
2
3
6
5
4
TSOP-6
Top View
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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