參數(shù)資料
型號(hào)： AO6408L
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： AO6408L
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
47.5
74
37
Max
62.5
110
40
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
T
A
=70°C
1.28
W
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
2
A
T
A
=70°C
7
40
Pulsed Drain Current
B
Continuous Drain
Current
A
T
A
=25°C
I
D
8.8
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
20
±12
V
V
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Maximum
Units
AO6408
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 8.8A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 20m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 25m
(V
GS
= 2.5V)
R
DS(ON)
< 32m
(V
GS
= 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM
General Description
The AO6408 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. It offers
operation over a wide gate drive range from 1.8V to
12V. It is ESD protected. This device is suitable for
use as a load switch. Standard product
AO6408 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AO6408L is a Green Product ordering option.
AO6408 and AO6408L are electrically identical.
G
D
D
S
D
D
1
2
3
6
5
4
TSOP-6
Top View
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO6414 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6414L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6415 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6415L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6419 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AO6409 功能描述:MOSFET P-CH -20V -5A 6-TSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO6409_102 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 10V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO6409_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6TSOT 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AO6409A 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOP 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6
AO6409A_102 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6TSOT 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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