參數(shù)資料
型號： AO4822A
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： AO4822A
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
48
74
35
Max
62.5
110
40
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±20
8.5
6.6
30
2
1.28
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Drain-Source Voltage
Maximum
30
Units
T
A
=25°C
T
A
=70°C
W
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4822A
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 16m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 26m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4822A uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Standard Product AO4822A is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications).
AO4822AL is a Green Product ordering option.
AO4822A and AO4822AL are electrically identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4822AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4822 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4822L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4824 Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4826 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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