參數(shù)資料
型號(hào)： AO4824
廠商： ALPHA
英文描述： Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 非對(duì)稱雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 134K
代理商： AO4824
Symbol
V
DS
V
GS
Max Q2
Units
V
V
I
DM
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Units
R
θ
JL
Symbol
Units
R
θ
JL
40
48
74
62.5
110
°C/W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
35
62.5
110
40
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JA
48
74
35
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
±12
9.8
30
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Max Q1
30
±20
8.5
W
-55 to 150
-55 to 150
Junction and Storage Temperature Range
2
1.28
1.28
T
A
=25°C
T
A
=70°C
2
A
7.8
40
30
6.8
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Power Dissipation
P
D
Pulsed Drain Current
B
I
D
Typ
Max
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET Q1
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET Q2
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
Typ
Max
R
θ
JA
AO4824
Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect
Transistor
Features
Q1 Q2
V
DS
(V) = 30V V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A I
D
=9.8A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 17m
<13m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 27m
<15m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4824 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
two MOSFETs make a compact and efficient switch
and synchronous rectifier combination for use in DC-
DC converters.
Standard Product AO4824 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4824L
is a Green Product ordering option. AO4824 and
AO4824L are electrically identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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