參數(shù)資料
型號： AO4812A
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： AO4812A
AO4812A
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
V
GS
=10V, V
DS
=15V, I
D
=7.4A
V
GS
=10V, V
DS
=15V, R
L
=2.0
, R
GEN
=3
V
GS
=10V
I
F
=7.4A, dI/dt=100A/
μ
s
I
F
=7.4A, dI/dt=100A/
μ
s
THIS P30
CR
OUT OF20
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
25°C
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3V
3.5V
4V
4.5V
10V
0
4
8
12
16
20
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
15
20
25
30
35
0
5
10
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
I
D
=6.9A
10
40
50
60
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
I
D
=6.9A
125°C
5V
6V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
AO4812 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4812L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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AO4813 功能描述:MOSFET DUAL PCH -30V -7.1A 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4813_002 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:3,000
AO4813_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Dual P-Channel MOSFET
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