參數(shù)資料
型號： AO4812
廠商： ALPHA
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 119K
代理商： AO4812
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
48
74
35
Max
62.5
110
40
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
T
A
=70°C
1.44
W
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
2
A
T
A
=70°C
5.8
30
Pulsed Drain Current
B
Continuous Drain
Current
A
T
A
=25°C
I
D
6.9
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
30
±20
V
V
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Maximum
Units
AO4812
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 28m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 42m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4812 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. The
two MOSFETs make a compact and efficient switch
and synchronous rectifier combination for use in buck
converters.
AO4812 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4812L is a Green Product
ordering option. AO4812 and AO4812L are
electrically identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
G2
D2
S2
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4812L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4813 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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