參數(shù)資料
型號： AO4615
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強模式互補場效應晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： AO4615
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±20
Units
V
V
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
A
mJ
°C
Symbol
Typ
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Units
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
55
92
37
48
87
37
62.5
110
50
62.5
110
50
R
θ
JL
R
θ
JL
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
-30
2
1.44
20
20
T
A
=70°C
Power Dissipation
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy 0.1mH
B
T
A
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
Junction and Storage Temperature Range
A
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
W
7.2
6.1
30
2
1.44
15
11
-4.9
-5.7
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Max n-channel
30
±20
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Max
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
-55 to 150
-55 to 150
AO4615
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 30V -30V
I
D
= 7.2A (V
GS
=10V) -5.7A (V
GS
=10V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 24m
(V
GS
=10V) < 39m
(V
GS
= -10V)
< 40m
(V
GS
=4.5V) < 62m
(V
GS
= -4.5V)
ESD rating: 1500V (HBM)
P-channel MOSFET has an additional R
OC
< 1M
for
open circuit protection.
General Description
The AO4615 uses advanced trench
technology MOSFETs to provide
excellent R
DS(ON)
and low gate charge.
The complementary MOSFETs may be
used to form a level shifted high side
switch, and for a host of other
applications. It is ESD protected.
Standard product AO4615 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259
specifications). AO4615L is a Green
Product ordering option. AO46
15
and
AO4615L are electrically identical
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
n-channel
p-channel
G2
D2
S2
G1
D1
S1
R
OC
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4615L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4616 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4616L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4617 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4619 Diode; Antenna switching; VR (V): 60; IF (mA): 50; Pd (mW): 150; rf (ohm) max: 1.8; Condition IF at rf (mA): 10; Condition f at rf (MHz): 100; VF (V) max: 0.9; Condition IF at VF (mA): 2; C (pF) max: 0.45; Condition VR at C (V): 1; Condition f at C (MHz): 1; Package: SFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4615L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4616 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO4616_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V Complementary MOSFET
AO4616L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4616L_102 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A，7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*