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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AO4610 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | AO4610 |
AO4610
N-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3V
3.5V
4V
4.5V
10V
0
4
8
12
16
20
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
14
16
18
20
22
24
26
28
0
5
10
15
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
10
20
30
40
50
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=8.5A
25°C
125°C
I
D
=8.5A
Alpha Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO4610L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4611 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4611L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4612 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4612L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AO4610L | 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4611 | 功能描述:MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR |
| AO4611_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:60V Dual P N-Channel MOSFET |
| AO4611L | 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO4612 | 功能描述:MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):SI7948DP-T1-GE3DKR |
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