參數(shù)資料
型號： AO4476
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： AO4476
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
28
57
16
Max
34
71
23
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
°C
-55 to 150
3.7
2.4
W
T
A
=70°C
Power Dissipation
T
A
=25°C
P
D
Maximum
30
±20
15
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
Pulsed Drain Current
B
60
A
T
A
=70°C
12
T
A
=25°C
I
DSM
AO4476
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 15A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 10.5m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 17m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AO4476 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge.This device
is suitable for use as a high side switch in SMPS and
general purpose applications.
Standard Product
AO4476 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications).
D
S
G
SOIC-8
G
S
S
S
D
D
D
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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參數(shù)描述
AO4476A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4476A_103 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1
AO4476A_104 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1
AO4476AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:3,000
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