參數(shù)資料
型號： AMMC-6333-W50
元件分類： 放大器
英文描述： 18000 MHz - 33000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： 0.100 X 0.051 INCH, DIE-9
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 451K
代理商： AMMC-6333-W50
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Frequency[GHz]
P-1[dBm
P-1[Vds=3V]
P-1[Vds=4V]
P-1[Vds=5V]
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Frequency[GHz]
Gain
[dB]
Gain [@180mA]
Gain[@205mA]
Gain[@230mA]
Gain[@270mA]
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Frequency[GHz]
Gain[Vds=3V]
Gain[Vds=4V]
Gain[Vds=5V]
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Frequency[GHz]
P1
[dBm]
P-1[@180mA]
P-1[@205mA]
P-1[@230mA]
P-1[@270mA]
-40
-30
-20
-10
0
10
20
15
17
19
21
23
25
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29
31
33
35
Frequency [GHz]
IMD3
Level
[dBc]
Ids=230mA
Ids=290mA
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
15
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21
23
25
27
29
31
33
35
Frequency [GHz]
IMD3
Level
[dBc]
Gain
[dB]
Ids=230mA
Ids=290mA
Typical Performance (continued)
(TA = 25°C, Zin = Zout = 50
:)
(Data obtained from a test xture with 3.5 mm connectors. Eects of the test xture – losses and mismatch – have not
been removed from the data)
Figure 9. Small signal gain vs Frequency and Vds, (IdQ=230mA)
Figure 10. P-1dB vs Frequency and IdQ, (Vds=5V)
Figure 7. P-1dB vs Frequency and Vds, (IdQ=230mA)
Figure 11. IMD3 levels vs Frequency
Fundamental output carriers at +20 dBm each
Figure 8. Small signal gain vs Frequency and IdQ, (Vds=5V)
Figure 12. IMD3 levels vs Frequency
Fundamental output carriers at +10dBm each
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