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參數(shù)資料
| 型號： | Am70PDL127CDH66IS |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 x 64 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Page Mode Flash Memory Data Storage 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS |
| 中文描述： | 2 × 64兆位（8米× 16位）的CMOS 3.0伏特，只有頁面模式閃存數(shù)據(jù)存儲128兆位（8米× 16位）的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 63/127頁 |
| 文件大?。?/td> | 849K |
| 代理商： | AM70PDL127CDH66IS |
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November 24, 2003
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
61
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
PSRAM DC CHARACTERISTICS
Recommended DC Operating Conditions (Note 1)
Notes:
1.
T
A
= -40 to 85
°
C, otherwise specified.
2.
Capacitance (f= 1MHz, TA = 25
°
C)
Overshoot: V
CC
+ 1.0 V in case of pulse width
≤
20 ns.
3.
4.
Undershoot: -1.0 V in case of pulse width
≤
20 ns.
Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Note:
Capacitance is sampled, not 100% tested.
DC and Operating Characteristics
Note:
Typical values are tested at V
CC
= 2.9 V T
A
= 25
°
C and not guaranteed.
Item
Symbol
V
CC
V
SS
Min
2.7
0
Typ
2.9
0
Max
3.1
0
Unit
V
V
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
V
IH
2.2
-
V
CC
+ 0.3
(Note 2)
0.6
V
Input Low Voltage
V
IL
-0.3 (Note 3)
-
V
Item
Symbol
C
IN
C
IO
Test Condition
V
IN
= 0 V
V
IO
= 0 V
Min
-
-
Max
8
10
Unit
pF
pF
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Item
Symbol
I
LI
I
LO
Test Conditions
Min
-1
-1
Typ
-
-
Max
1
1
Unit
μ
s
μ
s
Input Leakage Current
Output Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
CS#1s= V
IH
, CS2s= V
IH
or WE#= V
IL
, V
IO
= V
SS
to V
CC
Cycle time = 1ms, 100% duty, I
IO
= 0 mA,
CS#1s
≤
0.2 V, CS2s
≥
V
CC
≤
0.2 V or
V
IN
≥
V
CC
-0.2 V
Cycle Time = Min, I
IO
= 0 mA, 100% duty, I
IO
= 0 mA,
CS#1s = V
IL
, CS2s = V
IH
, V
IN
=V
IL
or V
IH
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
= -1.0 mA
CS#1s
≥
V
CC
-0.2 V, CS2s
≥
V
CC
-0.2 V,
Other inputs= V
SS
to V
CC
CS2s
≤
0.2V, Other inputs= V
SS
to V
CC
Average Operating Current
I
CC1
-
30
7
mA
I
CC2
-
-
35
mA
Output Low Voltage
Output High Voltage
V
OL
V
OH
-
-
-
0.4
-
V
V
2.4
Standby Current (CMOS)
I
SB1
-
-
80
μ
s
Deep Power Down
I
SBD
-
-
20
μ
s
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