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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am70PDL127CDH66IS |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 x 64 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-Only Page Mode Flash Memory Data Storage 128 Megabit (8 M x 16-Bit) CMOS |
| 中文描述： | 2 × 64兆位（8米× 16位）的CMOS 3.0伏特，只有頁面模式閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)128兆位（8米× 16位）的CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 46/127頁 |
| 文件大小： | 849K |
| 代理商： | AM70PDL127CDH66IS |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁當(dāng)前第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁
44
Am70PDL127CDH/Am70PDL129CDH
November 24, 2003
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
Table 12.
CFI Query Identification String
Table 13.
System Interface String
Addresses
Data
Description
10h
11h
12h
0051h
0052h
0059h
Query Unique ASCII string “QRY”
13h
14h
0002h
0000h
Primary OEM Command Set
15h
16h
0040h
0000h
Address for Primary Extended Table
17h
18h
0000h
0000h
Alternate OEM Command Set (00h = none exists)
19h
1Ah
0000h
0000h
Address for Alternate OEM Extended Table (00h = none exists)
Addresses
Data
Description
1Bh
0027h
V
CC
Min. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Ch
0036h
V
CC
Max. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Dh
0000h
V
PP
Min. voltage (00h = no V
PP
pin present)
1Eh
0000h
V
PP
Max. voltage (00h = no V
PP
pin present)
1Fh
0004h
Typical timeout per single byte/word write 2
N
μs
20h
0000h
Typical timeout for Min. size buffer write 2
N
μ
s (00h = not supported)
21h
0009h
Typical timeout per individual block erase 2
N
ms
22h
0000h
Typical timeout for full chip erase 2
N
ms (00h = not supported)
23h
0005h
Max. timeout for byte/word write 2
N
times typical
24h
0000h
Max. timeout for buffer write 2
N
times typical
25h
0004h
Max. timeout per individual block erase 2
N
times typical
26h
0000h
Max. timeout for full chip erase 2
N
times typical (00h = not supported)
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