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參數(shù)資料
| 型號： | AM49DL640BG30IT |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片封裝（MCP）閃存和SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 52/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1005K |
| 代理商： | AM49DL640BG30IT |
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April 1, 2003
Am49DL640AG
51
P R E L I M I N A R Y
FLASH AC CHARACTERISTICS
Alternate CE#f Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Flash Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed
JEDEC
Std
Description
70
85
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
85
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
40
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
40
45
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE#f Pulse Width
Min
40
45
ns
t
EHEL
t
CPH
CE#f Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
5
μs
Word
Typ
7
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.4
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM49DL640BG35IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM49DL640BG35IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM49DL640BG85IS | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| AM49DL640BG85IT | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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