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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM45DL3238GB85IT |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, FBGA-73 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1191K |
| 代理商： | AM45DL3238GB85IT |
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40
Am45DL32x8G
August 28, 2002
PR ELI M I NARY
CompactCell SRAM DC AND OPERATING CHARACTERISTICS (NOTE 1)
Notes:
1. T
A= –40°C to 85°C, otherwise specified.
2. Overshoot: VCC+1.0V if pulse width ≤ 20 ns.
3. Undershoot: –1.0V if pulse width
≤ 20 ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
5. Stable power supply required 200 s before device operation.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN = VSS to VCC
–1.0
1.0
A
I
LO
Output Leakage Current
CE1#s = V
IH, CE2s = VIL or OE# =
V
IH or WE# = VIL, VIO= VSS to VCC
–1.0
1.0
A
I
CC
Operating Power Supply Current
IIO = 0 mA, CE1#s = VIL,
CE2s = VIH, VIN = VIH or VIL
2mA
I
CC1s
Average Operating Current
Cycle time = 1 s, 100% duty,
I
IO = 0 mA, CE1#s ≤ 0.2 V,
CE2
≥ V
CC – 0.2 V, VIN ≤ 0.2 V or
VIN ≥ VCC – 0.2 V
3mA
I
CC2s
Average Operating Current
Cycle time = Min., I
IO = 0 mA,
100% duty, CE1#s = V
IL, CE2s =
V
IH, VIN = VIL = or VIH
30
mA
VIL
Input Low Voltage
–0.2
0.4
V
IH
Input High Voltage
2.2
Vcc+0.2
V
OL
Output Low Voltage
I
OL = 2.0 mA
0.4
V
OH
Output High Voltage
I
OH = –1.0 mA
2.2
V
I
SB
Standby Current (TTL)
CE1#s = VIH, CE2 = VIL, Other
inputs = V
IH or VIL
0.3
mA
I
SB1
Standby Current (CMOS)
CE1#s
≥ V
CC – 0.2 V, CE2 ≥ VCC –
0.2 V (CE1#s controlled) or CE2
≤
0.2 V (CE2s controlled), CIOs =
100
A
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