參數(shù)資料
型號： AM29F200B-120FI
英文描述： 150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRFB4019PBF with Standard Packaging
中文描述： x8/x16閃存EEPROM
文件頁數(shù)： 35/39頁
文件大?。?/td> 728K
代理商： AM29F200B-120FI
Am29F002B/Am29F002NB
35
PLCC AND PDIP PIN CAPACITANCE
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz.
DATA RETENTION
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
4
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
PP
= 0
8
12
pF
Parameter
Test Conditions
Min
Unit
Minimum Pattern Data Retention Time
150
°
C
10
Years
125
°
C
20
Years
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F200B-120SC x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200B-120SE x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200B-120SEB x8/x16 Flash EEPROM
AM29F200B-120SI 12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF7476 with Lead Free Packaging
AM29F200B-150EC 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF7807A with Lead Free Packaging
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AM29F200BB-120EC 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-120SI 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 120ns 44-Pin SOIC
AM29F200BB-120SI\T 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 2M-Bit 256K x 8/128K x 16 120ns 44-Pin SOIC T/R
AM29F200BB-45SI 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
AM29F200BB-55EF 功能描述:閃存 2M (256KX8/128KX16) Parallel NOR Fl 5V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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