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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F080B-70SI |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 24/39頁 |
| 文件大小： | 728K |
| 代理商： | AM29F080B-70SI |
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24
Am29F002B/Am29F002NB
TEST CONDITIONS
Table 7.
Test Specifications
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
2.7 k
C
L
6.2 k
5.0 V
Device
Under
Test
Figure 8.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
-55
All
others
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
20
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
0.45–2.4
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
0.8, 2.0
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29F080B-90EE | 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; Similar to IRFB3507 with Lead Free Packaging |
| AM29F080B-90FE | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package; Similar to IRLU2905Z with Lead Free Packaging |
| AM29F080B-90SE | 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package; Similar to IRF7464 with Lead Free Packaging |
| AM29F100AB-150FC | 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package; A IRFIZ34N with Standard Packaging |
| AM29F100AB-150FE | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29F080B-75EF | 制造商:Spansion 功能描述:8 MEGABIT 1 M X 8-BIT CMOS 5.0 VOLT-ONLY, UNIFORM SECTOR FLASH MEMORY |
| AM29F080B-75EI | 制造商:Spansion 功能描述:IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC |
| AM29F080B-90EC | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:IC, FLASH MEM, 8MBIT, 90NS, 40-TSOP, Memory Type:Flash - NOR, Memory Size:8Mbit, |
| AM29F080B-90ED | 制造商:Spansion 功能描述:IC FLASH 8MB SMD 29F080 TSOP40 |
| AM29F080B90EF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
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