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參數(shù)資料
| 型號： | Am29F016D-120EEB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | TOOL EXTRACTION #4 CONTACT METAL |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 34/45頁 |
| 文件大小： | 1145K |
| 代理商： | AM29F016D-120EEB |
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Am29F016D
33
AC CHARACTERISTICS
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
RY/BY#
t
BUSY
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
Note:
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle.
Figure 13.
Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
DQ6/DQ2
RY/BY#
t
BUSY
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
t
ACC
t
RC
Valid Data
Valid Status
(stops toggling)
Valid Status
(first read)
(second read)
Valid Status
VA
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read cycle,
and array data read cycle.
Figure 14.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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