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參數(shù)資料
| 型號： | Am29F016D-120EEB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | TOOL EXTRACTION #4 CONTACT METAL |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 31/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1145K |
| 代理商： | AM29F016D-120EEB |
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30
Am29F016D
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Parameter Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
-70
-90
-120
-150
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
40
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
40
45
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
(OE# high to WE# low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
40
45
50
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
Max
8
sec
t
VCS
V
CC
Set Up Time (Note 1)
Min
50
μs
t
BUSY
WE# to RY/BY# Valid
Min
40
40
50
60
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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