參數(shù)資料
型號： AH225-S8G
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 放大器
英文描述： 400 MHz - 2700 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
文件頁數(shù)： 3/21頁
文件大?。?/td> 1678K
代理商： AH225-S8G
AH225
1W High Linearity InGaP HBT Amplifier
Typical Performance Plots 1805-1880 MHz
12
13
14
15
16
17
1700
1750
1800
1850
1900
1950
2000
S21
(
d
B)
Frequency (MHz)
S21 vs. Frequency
T=+25°C
-25
-20
-15
-10
-5
0
1700
1750
1800
1850
1900
1950
2000
Re
tur
n
Lo
s
(
d
B
)
Frequency (MHz)
Return Loss vs. Frequency
S11
S22
T=+25°C
27
28
29
30
31
32
1800
1820
1840
1860
1880
P1
d
B
(
d
B
m
)
Frequency (MHz)
P1dB vs. Frequency
T=+25°C
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
19
20
21
22
23
24
25
AC
LR
(
d
Bc
)
Pout (dBm)
ACLR vs. Pout vs. Freq
3GPP WCDMA, TM1+64DPCH, ±5 MHz Offset
T=+25°C
1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
19
20
21
22
23
24
EV
M
(
%
)
Pout (dBm)
EVM vs. Pout vs. Freq
OFDM, QAM-64, 54 Mb/s
T=+25°C
1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
30
35
40
45
50
55
60
17
19
21
23
25
O
IP3
(
d
Bm)
Pout / tone (dBm)
OIP3 vs. Pout / tone vs. Freq
1 MHz Spacing
T=+25°C
1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
Data Sheet: Rev D 01/26/11
- 11 of 21 -
Disclaimer: Subject to change without notice
2010 TriQuint Semiconductor, Inc.
Connecting the Digital World to the Global Network
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