參數(shù)資料
型號： AGR21180EF
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-4
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： AGR21180EF
4
Agere Systems Inc.
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR21180EF
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics
(Optimally tuned for 28 Vds, 2 x 800 mA IDQ, POUT = 2 W-CDMA 38 W average operation.)
ZS = Test circuit impedance as measured from gate to gate, balanced configuration.
ZL = Test circuit impedance as measured from drain to drain, balanced configuration.
Figure 3. Series Equivalent Balanced Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS
(Complex Source Impedance)
ZL
(Complex Optimum Load Impedance)
2110 (f1)
4.02 – j7.92
3.92 – j6.59
2140 (f2)
3.98 – j7.73
3.79 – j6.32
2170 (f3)
3.80 – j7.63
3.67 – j6.12
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
.7
0.7
0
.8
0.8
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180±
90
-90
-8
5
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.0
4
0.05
0.0
6
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.1
7
0.1
8
0.1
9
0.2
1
0.2
2
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0
.2
8
0.2
9
0.3
1
0.3
2
0.3
3
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.4
2
0.43
0.4
4
0.45
0.4
6
0
.47
0.48
0.49
0.0
A
N
G
L
E
O
F
T
R
A
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S
M
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S
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E
SU
SC
E
P
T
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o
)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
F
ZS
f3
f1
ZL
f3
f1
Z0 = 10
DUT
1A
1B
3
2A
2B
+
ZS
ZL
–
PINS:
1A. DRAIN
1B. DRAIN
2A. GATE
2B. GATE
3. SOURCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR21180EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AH118-89G 60 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH125-89G 400 MHz - 3600 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH212-S8G 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH212-EG 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
AGR21N090EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26125E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR26125EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26125EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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