參數(shù)資料
型號： AGR21180EF
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-4
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 227K
代理商： AGR21180EF
8
Agere Systems Inc.
180 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR21180EF
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
IDQ = 1600 mA, POUT = 170 W peak envelope power (PEP).
F1 = 2135 MHz and F2 = 2145 MHz.
Figure 10. IM3 and Drain Efficiency vs. VDS (2 CW signal data)
Test Conditions:
28 VDS, IDQ = 1600 mA, POUT = 170 W (PEP).
FCENTER = 2140 MHz, F1 = FCENTER -
F/2 MHz, F2 = FCENTER - F/2 MHz.
Figure 11. Intermodulation Products vs. Tone Separation (2 CW signal data)
33
34
35
36
37
38
39
40
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23
24
25
26
27
28
29
30
31
VDS (V)
η
(%)
-31
-30
-29
-28
-27
-26
-25
-24
-23
-22
-21
IM3
(
d
Bc
)
η
IM3
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0.01
0.1
1
10
100
TONE SEPARATION (
F, MHz)
IMD
(
d
Bc
)
IM7
IM3
IM5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR21180EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AH118-89G 60 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH125-89G 400 MHz - 3600 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH212-S8G 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH212-EG 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AGR26125E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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AGR26125EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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