參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21125EF
廠商： LSI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-2
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： AGR21125EF
6
Agere Systems Inc.
125 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
April 2004
AGR21125E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
Figure 6. IMD vs. Tone Spacing
Figure 7. Gain, Efficiency, IMD3, and ACPR vs. Output Power
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0.1
1
10
100
TWO-TONE SPACING (MHz)
IMD
(dBc)
IM7
IM5
VDD = 28 V, POUT = 130 W PEP, FO = 2140 MHz
IM3
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
15
20
25
30
35
40
OUTPUT POWER (WATTS-AVERAGE)S
GAIN
(
d
B)
S
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
EFF
(%),
I
M
D3
(dBc),
ACPR
(dBc)
S
2 CARRIER W-CDMA 3 GPP,
PEAK TO AVG. = 8.5 dB @ 0.01% CCDF,
10 MHz SPACING 3.84 MHz CBW, POUT = 28 W,
VDD = 28 V, IDQ = 1200 mA
DRAIN EFF
GAIN
IMD3
ACPR
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PDF描述
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AGR26045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR26125E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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