參數(shù)資料
型號： AGR21090EF
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-2
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： AGR21090EF
Agere Systems Inc.
5
Preliminary Data Sheet
AGR21090E
April 2004
90 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
Figure 4. Two-Tone Power Gain vs. Output Power and IDQ
Test Conditions:
VDD 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
Figure 5. IMD3 vs. Output Power and IDQ
11.50
12.00
12.50
13.00
13.50
14.00
14.50
15.00
15.50
16.00
16.50
1.00
10.00
100.00
POUT (W) PEPZ
G
PS
(d
B
)S
IDQ = 500 mA
IDQ = 650 mA
IDQ = 800 mA
IDQ = 950 mA
IDQ = 1100 mA
-70.00
-65.00
-60.00
-55.00
-50.00
-45.00
-40.00
-35.00
-30.00
-25.00
-20.00
1.00
10.00
100.00
1000.00
POUT (W) PEPZ
IMD3
(
d
Bc
)Z
IDQ = 500 mA
IDQ = 650 mA
IDQ = 950 mA
IDQ = 1100 mA
IDQ = 800 mA
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