參數(shù)資料
型號： AGR21030EU
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 300K
代理商： AGR21030EU
6
Agere Systems Inc.
30 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
May 2004
AGR21030E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, F = 2140 MHz, POUT = 30 W PEP.
Figure 6. IMD vs. Tone Spacing
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 V, IDQ = 300 mA, F = 2140 MHz.
2-carrier W-CDMA 3GPP, Peak-to-average = 8.5 dB @ 0.01% CCDF, 10 MHz spacing, 3.84 CBW.
Figure 7. Gain, Efficiency, IMD3, and ACPR vs. Output Power
-60.0
-55.0
-50.0
-45.0
-40.0
-35.0
-30.0
-25.0
-20.0
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
0.1
1
10
100
TWO-TONE SPACING (MHz)Z
IMD
(
d
Bc)
Z
IM7
IM5
IM3
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
20.00
0.00
5.00
10.00
15.00
20.00
OUTPUT POWER (W, AVERAGE)Z
G
A
IN
(
d
B)
Z
-55.0
-45.0
-35.0
-25.0
-15.0
-5.0
5.0
15.0
25.0
35.0
45.0
(%
),
I
M
D3
(dB
c
),
A
C
P
R
(dB
c
)Z
DRAIN
GAIN
IMD3
ACPR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR21045EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21090EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21090EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR26045EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGRA10XM UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
AGR21045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21060EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR21060EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21090E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:90 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
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