參數(shù)資料
型號(hào)： AGR21030EU
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 300K
代理商： AGR21030EU
Agere Systems Inc.
5
Preliminary Data Sheet
AGR21030E
May 2004
30 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
Figure 4. Two-Tone Power Gain vs. Output Power and IDQ
TEST CONDITIONS:
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
Figure 5. IMD3 vs. Output Power and IDQ
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
0.10
1.00
10.00
100.00
OUTPUT POWER (W) PEP
POWER
GAIN
(dB)
S
IDQ = 200 mA
IDQ = 250 mA
IDQ = 300 mA
IDQ = 350 mA
IDQ = 400 mA
-70.0
-65.0
-60.0
-55.0
-50.0
-45.0
-40.0
-35.0
-30.0
-25.0
-20.0
0.10
1.00
10.00
100.00
OUTPUT POWER (W) PEP
IMD3,
THIRD
ORDER
(dBc)
IDQ = 200 mA
IDQ = 250 mA
IDQ = 300 mA
IDQ = 350 mA
IDQ = 400 mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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AGR21060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR21060EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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