參數(shù)資料
型號： AGR19090EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 366K
代理商： AGR19090EF
90 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
E
0
9
0
9
1
R
G
A
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR19090EU
AGR19090EF
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
2
3
1
3
1
PEAK DEVICES
AGR19090EU
XXXX
2
1
3
2
3
1
PEAK DEVICES
AGR19090EF
XXXX
XXXX - 4 Digit Trace Code
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AGR19125EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19125EU L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19180EF L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19180EF 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR19180EF 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
AGR19090EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:90 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
AGR19125E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
AGR19125EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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