3-22 Revision 4 Dynamic Power Consumption of Various Internal Resources Table 3-14 Different Components Contr" />
參數(shù)資料
型號: AFS600-1PQG208I
廠商: Microsemi SoC
文件頁數(shù): 193/334頁
文件大小: 0K
描述: IC FPGA 4MB FLASH 600K 208PQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 24
系列: Fusion®
RAM 位總計: 110592
輸入/輸出數(shù): 95
門數(shù): 600000
電源電壓: 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: -40°C ~ 100°C
封裝/外殼: 208-BFQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 208-PQFP(28x28)
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁當(dāng)前第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁第313頁第314頁第315頁第316頁第317頁第318頁第319頁第320頁第321頁第322頁第323頁第324頁第325頁第326頁第327頁第328頁第329頁第330頁第331頁第332頁第333頁第334頁
DC and Power Characteristics
3-22
Revision 4
Dynamic Power Consumption of Various Internal Resources
Table 3-14 Different Components Contributing to the Dynamic Power Consumption in Fusion Devices
Parameter
Definition
Power Supply
Device-Specific
Dynamic Contributions
Units
Name
Setting AFS1500
AFS600
AFS250 AFS090
PAC1
Clock contribution of a Global
Rib
VCC
1.5 V
14.5
12.8
11
W/MHz
PAC2
Clock contribution of a Global
Spine
VCC
1.5 V
2.5
1.9
1.6
0.8
W/MHz
PAC3
Clock contribution of a VersaTile
row
VCC
1.5 V
0.81
W/MHz
PAC4
Clock contribution of a VersaTile
used as a sequential module
VCC
1.5 V
0.11
W/MHz
PAC5
First contribution of a VersaTile
used as a sequential module
VCC
1.5 V
0.07
W/MHz
PAC6
Second
contribution
of
a
VersaTile used as a sequential
module
VCC
1.5 V
0.29
W/MHz
PAC7
Contribution of a VersaTile used
as a combinatorial module
VCC
1.5 V
0.29
W/MHz
PAC8
Average contribution of a routing
net
VCC
1.5 V
0.70
W/MHz
PAC9
Contribution of an I/O input pin
(standard dependent)
VCCI
PAC10
Contribution of an I/O output pin
(standard dependent)
VCCI
PAC11
Average contribution of a RAM
block during a read operation
VCC
1.5 V
25
W/MHz
PAC12
Average contribution of a RAM
block during a write operation
VCC
1.5 V
30
W/MHz
PAC13
Dynamic Contribution for PLL
VCC
1.5 V
2.6
W/MHz
PAC15
Contribution of NVM block during
a read operation (F < 33MHz)
VCC
1.5 V
358
W/MHz
PAC16
1st contribution of NVM block
during a read operation (F > 33
MHz)
VCC
1.5 V
12.88
mW
PAC17
2nd contribution of NVM block
during a read operation (F > 33
MHz)
VCC
1.5 V
4.8
W/MHz
PAC18
Crystal Oscillator contribution
VCC33A 3.3 V
0.63
mW
PAC19
RC Oscillator contribution
VCC33A 3.3 V
3.3
mW
PAC20
Analog Block dynamic power
contribution of ADC
VCC
1.5 V
3
mW
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PDF描述
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