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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ADG5204BRUZ |
| 廠商： | Analog Devices Inc |
| 文件頁數(shù)： | 9/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MUX 4CH LATCH-UP PROOF 14TSSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 96 |
| 功能： | 多路復(fù)用器 |
| 電路： | 1 x 4:1 |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 170 歐姆 |
| 電壓電源： | 單/雙電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 9 V ~ 40 V，±9 V ~ ±22 V |
| 電流 - 電源： | 85µA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 14-TSSOP |
| 包裝： | 管件 |
ADG5204
Rev. 0 | Page 17 of 20
TRENCH ISOLATION
In the ADG5204, an insulating oxide layer (trench) is placed
between the NMOS and the PMOS transistors of each CMOS
switch. Parasitic junctions, which occur between the transistors
in junction isolated switches, are eliminated, and the result is a
completely latch-up proof switch.
In junction isolation, the N and P wells of the PMOS and
NMOS transistors form a diode that is reverse-biased under
normal operation. However, during overvoltage conditions, this
diode can become forward-biased. A silicon controlled rectifier
(SCR) type circuit is formed by the two transistors causing a
significant amplification of the current that, in turn, leads to
latch-up. By using trench isolation, this diode is removed, and
the result is a latch-up proof switch.
NMOS
PMOS
P WELL
N WELL
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
TRENCH
09
76
8-
0
04
Figure 33. Trench Isolation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| ADG5206BRUZ | 功能描述:多路器開關(guān) IC Latchup Proof 20V 15V +12V +36V 16:1Mu RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 開關(guān)數(shù)量:4 開啟電阻（最大值）:7 Ohms 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 傳播延遲時(shí)間:0.25 ns 工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V 工作電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UQFN-16 |
| ADG5206BRUZ-RL7 | 功能描述:多路器開關(guān) IC Latchup Proof 20V 15V +12V +36V 16:1Mu RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 開關(guān)數(shù)量:4 開啟電阻（最大值）:7 Ohms 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 傳播延遲時(shí)間:0.25 ns 工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V 工作電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UQFN-16 |
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