參數(shù)資料
型號(hào)： AD5582YRVZ
廠商： Analog Devices Inc
文件頁(yè)數(shù)： 17/20頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC DAC 12BIT QUAD VOUT 48-TSSOP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Data Converter Fundamentals
DAC Architectures
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 39
設(shè)置時(shí)間： 5µs
位數(shù)： 12
數(shù)據(jù)接口： 并聯(lián)
轉(zhuǎn)換器數(shù)目： 4
電壓電源： 模擬和數(shù)字，雙 ±
功率耗散（最大）： 30mW
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 48-TSSOP
包裝： 管件
輸出數(shù)目和類型： 4 電壓，單極；4 電壓，雙極
采樣率（每秒）： 200k
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 783 (CN2011-ZH PDF)
REV. A
–6–
AD5582/AD5583
CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although the
AD5582/AD5583 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on
devices subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are
recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
*
VDD to VSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +18 V
VDD to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +18 V
VSS to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +0.3 V to –9 V
VDD to VREF+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +18 V
VREF– to VSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +18 V
VREFH to VREFL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +18 V
DVDD to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
Logic Inputs to GND . . . . . . . . . . . VSS – 0.3 V, VDD + 0.3 V
VOUT to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . VSS – 0.3 V, VDD + 0.3 V
IOUT Short Circuit to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 mA
Thermal Resistance Junction to Ambient, JA . . . . . . 115
∞C/W
ORDERING GUIDE
1
Resolution
Temperature
Package
Container
Top
Model
(Bits)
Range
Description
Option
Quantity
Marking
2
AD5582YRV-REEL
1
12
–40
∞C to +125∞CTSSOP-48
RV-48
2500
AD5582Y
AD5583YRV-REEL
10
–40
∞C to +125∞CTSSOP-48
RV-48
2500
AD5583Y
AD5582YRV
1
12
–40
∞C to +125∞CTSSOP-48
RV-48
39
AD5582Y
AD5583YRV
10
–40
∞C to +125∞CTSSOP-48
RV-48
39
AD5583Y
NOTES
1The AD5582 contains 4116 transistors. The die size measures 108 mil
144 mil.
2First row marking is shown in the table above. Second row marking contains date code in YYWW format. Third row marking contains the lot number.
Thermal Resistance Junction to Case, JC . . . . . . . . . . 42
∞C/W
Maximum Junction Temperature (TJ Max) . . . . . . . . . . 150
∞C
Package Power Dissipation = (TJ Max – TA)/ JA
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . –40
∞C to +125∞C
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . –65
∞C to +150∞C
Lead Temperature
RV-48 (Soldering, 60 secs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300
∞C
*Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. This is a stress rating only; functional operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
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PDF描述
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