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參數(shù)資料
| 型號： | A3PN060-2VQ100 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 88/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位總計： | 18432 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 71 |
| 門數(shù)： | 60000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 100-TQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-61
Figure 2-28 RAM Write, Output Retained. Applicable to both RAM4K9 and RAM512x18.
Figure 2-29 RAM Write, Output as Write Data (WMODE = 1). Applicable to both RAM4K9 only.
tCYC
tCKH
tCKL
A0
A1
A2
DI0
DI1
tAS
tAH
tBKS
tENS
tENH
tDS
tDH
CLK
BLK
WEN
[R|W]ADDR
DIN|WD
Dn
DOUT|RD
tBKH
D2
tCYC
tCKH
tCKL
A0
A1
A2
DI0
DI1
tAS tAH
tBKS
tENS
tDS tDH
CLK
BLK
WEN
ADDR
DIN
tBKH
DOUT
(pass-through)
DI1
Dn
DI0
DOUT
(pipelined)
DI0
DI1
Dn
DI2
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PDF描述 |
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