2-26 Revision 11 Timing Characteristics Table 2-34 3.3 V LVCMOS Wide Range Low Slew
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PN060-2VQ100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 50/114頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計(jì)： 18432
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 60000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-26
Revision 11
Timing Characteristics
Table 2-34 3.3 V LVCMOS Wide Range Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.7 V
Software Default Load at 35 pF for A3PN060, A3PN125, A3PN250
Drive
Strength
Equivalent
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
100 A
2 mA
Std.
0.60
14.73 0.04
1.57 2.18
0.43
14.73 13.16
3.26
3.38
ns
–1
0.51
12.53 0.04
1.33 1.85
0.36
12.53 11.19
2.77
2.87
ns
–2
0.45
11.00 0.03
1.17 1.62
0.32
11.00 9.83
2.43
2.52
ns
100 A
4 mA
Std.
0.60
14.73 0.04
1.57 2.18
0.43
14.73 13.16
3.26
3.38
ns
–1
0.51
12.53 0.04
1.33 1.85
0.36
12.53 11.19
2.77
2.87
ns
–2
0.45
11.00 0.03
1.17 1.62
0.32
11.00 9.83
2.43
2.52
ns
100 A
6 mA
Std.
0.60
10.38 0.04
1.57 2.18
0.43
10.38 9.21
3.72
4.16
ns
–1
0.51
8.83
0.04
1.33 1.85
0.36
8.83
7.83
3.17
3.54
ns
–2
0.45
7.75
0.03
1.17 1.62
0.32
7.75
6.88
2.78
3.11
ns
100 A
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0.03
1.17 1.62
0.32
7.75
6.88
2.78
3.11
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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