Revision 11 2-23 Timing Characteristics Table 2-29 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew Commerci" />
參數(shù)資料
型號： A3PN060-2VQ100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 46/114頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
標準包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計： 18432
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 60000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-23
Timing Characteristics
Table 2-29 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Software Default Load at 35 pF for A3PN060, A3PN125, A3PN250
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.60
9.70
0.04
1.13
1.52
0.43
9.88
8.82
2.31
2.50
ns
–1
0.51
8.26
0.04
0.96
1.29
0.36
8.40
7.50
1.96
2.13
ns
–2
0.45
7.25
0.03
0.84
1.13
0.32
7.37
6.59
1.72
1.87
ns
4 mA
Std.
0.60
9.70
0.04
1.13
1.52
0.43
9.88
8.82
2.31
2.50
ns
–1
0.51
8.26
0.04
0.96
1.29
0.36
8.40
7.50
1.96
2.13
ns
–2
0.45
7.25
0.03
0.84
1.13
0.32
7.37
6.59
1.72
1.87
ns
6 mA
Std.
0.60
6.90
0.04
1.13
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6.22
2.61
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ns
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2.56
ns
–2
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0.03
0.84
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0.32
5.24
4.64
1.95
2.25
ns
8 mA
Std.
0.60
6.90
0.04
1.13
1.52
0.43
7.01
6.22
2.61
3.01
ns
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0.51
5.87
0.04
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1.29
0.36
5.97
5.29
2.22
2.56
ns
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0.45
5.15
0.03
0.84
1.13
0.32
5.24
4.64
1.95
2.25
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
Table 2-30 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Software Default Load at 35 pF for A3PN060, A3PN125, A3PN250
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.60
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0.04
1.13
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0.43
7.32
6.40
2.30
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ns
–1
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0.04
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1.29
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5.44
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2.23
ns
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ns
–1
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0.03
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1.13
0.32
3.47
2.93
1.95
2.34
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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